Технічний опис TK125N60Z1,S1F Toshiba
Description: 6OOV DTMOS6 TO-247 125MOHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA, Supplier Device Package: TO-247, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK125N60Z1,S1F за ціною від 136.43 грн до 361.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK125N60Z1,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: 6OOV DTMOS6 TO-247 125MOHMPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 300 V |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TK125N60Z1,S1F | Toshiba |
MOSFETs 600V DTMOS6 TO-247 125mohm |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TK125N60Z1,S1F | Toshiba |
Silicon N-Channel MOSFET |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TK125N60Z1,S1F |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 6OOV DTMOS6 TO-247 125MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 300 V
Description: 6OOV DTMOS6 TO-247 125MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 300 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 348.90 грн |
| TK125N60Z1,S1F |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs 600V DTMOS6 TO-247 125mohm
MOSFETs 600V DTMOS6 TO-247 125mohm
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 361.83 грн |
| 10+ | 201.38 грн |
| 120+ | 173.00 грн |
| 510+ | 136.43 грн |
| TK125N60Z1,S1F |
|
Виробник: Toshiba
Silicon N-Channel MOSFET
Silicon N-Channel MOSFET
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.