Продукція > TOSHIBA > TK125V65Z,LQ(S
TK125V65Z,LQ(S

TK125V65Z,LQ(S Toshiba

tk125v65z_datasheet_en_20201016.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 5-Pin DFN EP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+314.68 грн
54+266.49 грн
200+203.18 грн
500+184.07 грн
1000+150.19 грн
2500+140.13 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK125V65Z,LQ(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK125V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 190W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 190W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm.

Інші пропозиції TK125V65Z,LQ(S за ціною від 221.31 грн до 561.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK125V65Z,LQ(S TK125V65Z,LQ(S Toshiba tk125v65z_datasheet_en_20201016.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 5-Pin DFN EP
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+561.22 грн
47+301.94 грн
50+290.44 грн
100+270.56 грн
250+242.92 грн
500+226.86 грн
1000+221.31 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK125V65Z,LQ(S TK125V65Z,LQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK125V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK125V65Z,LQ(S TK125V65Z,LQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK125V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 190W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK125V65Z,LQ(S tk125v65z_datasheet_en_20201016.pdf
TK125V65Z,LQ(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 5-Pin DFN EP
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+561.22 грн
47+301.94 грн
50+290.44 грн
100+270.56 грн
250+242.92 грн
500+226.86 грн
1000+221.31 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK125V65Z,LQ(S
TK125V65Z,LQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK125V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK125V65Z,LQ(S
TK125V65Z,LQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK125V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 190W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.