Продукція > TOSHIBA > TK125V65Z,LQ(S
TK125V65Z,LQ(S

TK125V65Z,LQ(S TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK125V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 190W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+213.32 грн
500+166.64 грн
1000+152.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK125V65Z,LQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK125V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 190W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK125V65Z,LQ(S за ціною від 147.64 грн до 484.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK125V65Z,LQ(S TK125V65Z,LQ(S Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK125V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+435.95 грн
10+296.28 грн
100+213.32 грн
500+166.64 грн
1000+152.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK125V65Z,LQ(S Виробник : Toshiba TK125V65Z,LQ(S
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+346.53 грн
42+293.53 грн
55+223.20 грн
200+202.46 грн
500+164.71 грн
1000+153.75 грн
2500+147.64 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
TK125V65Z,LQ(S Виробник : Toshiba TK125V65Z,LQ(S
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+484.23 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.