Інші пропозиції TK12A50D(STA4,Q,M) за ціною від 98.51 грн до 204.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TK12A50D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220SISPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
TK12A50D(STA4,Q,M) | Toshiba |
MOSFETs N-Ch MOS 12A 500V 45W 1350pF 0.52 |
на замовлення 196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
TK12A50D(STA4,Q,M) | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| TK12A50D |
на замовлення 2478 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TK12A50D(STA4,Q,M) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 204.75 грн |
| 50+ | 98.51 грн |
| TK12A50D(STA4,Q,M) |
![]() |
Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch MOS 12A 500V 45W 1350pF 0.52
MOSFETs N-Ch MOS 12A 500V 45W 1350pF 0.52
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TK12A50D(STA4,Q,M) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Trans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





