на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 262.64 грн |
| 10+ | 136.85 грн |
| 100+ | 118.24 грн |
| 500+ | 87.17 грн |
| 1000+ | 82.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK12A60D(STA4,Q,M) Toshiba
Description: TOSHIBA - TK12A60D(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.45 ohm, SC-67, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: SC-67, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK12A60D(STA4,Q,M) за ціною від 75.80 грн до 282.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK12A60D(STA4,Q,M) | Виробник : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - TK12A60D(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.45 ohm, SC-67, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: SC-67 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TK12A60D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TK12A60D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
TK12A60D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
TK12A60D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
товару немає в наявності |