Продукція > TOSHIBA > TK12A60W,S4VX
TK12A60W,S4VX

TK12A60W,S4VX Toshiba

18tk12a60w_en_datasheet.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+145.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK12A60W,S4VX Toshiba

Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK12A60W,S4VX за ціною від 121.90 грн до 278.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK12A60W,S4VX TK12A60W,S4VX Виробник : Toshiba E1CFEC87E23B62E6B5B9CFD15354F6BC051D79FDCA6925347A15D9209F47672B.pdf MOSFETs N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.32 грн
10+165.59 грн
100+133.33 грн
500+121.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60W,S4VX TK12A60W,S4VX Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13487&prodName=TK12A60W Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.56 грн
50+180.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60W,S4VX TK12A60W,S4VX Виробник : Toshiba 18tk12a60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60W,S4VX
Код товару: 173725
Додати до обраних Обраний товар

docget.jsp?did=13487&prodName=TK12A60W Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60W,S4VX TK12A60W,S4VX Виробник : Toshiba 18tk12a60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60W,S4VX TK12A60W,S4VX Виробник : Toshiba 18tk12a60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.