
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 236.89 грн |
10+ | 185.28 грн |
50+ | 123.59 грн |
100+ | 111.82 грн |
250+ | 108.88 грн |
500+ | 101.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK12A80W,S4X Toshiba
Description: MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 570µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK12A80W,S4X за ціною від 304.00 грн до 304.00 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK12A80W,S4X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 570µA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
TK12A80W,S4X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
TK12A80W,S4X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
TK12A80W,S4X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |