Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK12E60W,S1VX Toshiba
Description: MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK12E60W,S1VX за ціною від 122.67 грн до 248.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK12E60W,S1VX | Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
TK12E60W,S1VX | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| TK12E60W,S1VX |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
Description: MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 248.62 грн |
| 50+ | 122.67 грн |
| TK12E60W,S1VX |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)