Продукція > TOSHIBA > TK12E60W,S1VX
TK12E60W,S1VX

TK12E60W,S1VX Toshiba

19tk12e60w_en_datasheet.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+95.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK12E60W,S1VX Toshiba

Description: MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK12E60W,S1VX за ціною від 126.83 грн до 257.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK12E60W,S1VX TK12E60W,S1VX Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK12E60W_datasheet_en_20131225.pdf?did=13505&prodName=TK12E60W Description: MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.05 грн
50+126.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E60W,S1VX TK12E60W,S1VX Виробник : Toshiba 19tk12e60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E60W,S1VX TK12E60W,S1VX Виробник : Toshiba 19tk12e60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E60W,S1VX TK12E60W,S1VX Виробник : Toshiba 19tk12e60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E60W,S1VX TK12E60W,S1VX Виробник : Toshiba TK12E60W_datasheet_en_20131225-1139867.pdf MOSFETs N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.