Продукція > TOSHIBA > TK12P60W,RVQ(S
TK12P60W,RVQ(S

TK12P60W,RVQ(S TOSHIBA

docget.jsp?did=13511&prodName=TK12P60W
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK12P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+126.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK12P60W,RVQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK12P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK12P60W,RVQ(S за ціною від 70.16 грн до 275.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK12P60W,RVQ(S TK12P60W,RVQ(S Виробник : Toshiba 338docget.jsptypedatasheetlangenpidtk12p60w.jsptypedatasheetlangenpi.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 5230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
95+136.59 грн
105+123.69 грн
110+118.31 грн
200+106.83 грн
500+97.95 грн
1000+80.76 грн
2000+72.00 грн
4000+70.16 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQ(S TK12P60W,RVQ(S Виробник : TOSHIBA docget.jsp?did=13511&prodName=TK12P60W Description: TOSHIBA - TK12P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+275.76 грн
10+180.58 грн
100+126.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQ(S TK12P60W,RVQ(S Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13511&prodName=TK12P60W Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.