Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK12P60W,RVQ
TK12P60W,RVQ

TK12P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK12P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13511&prodName=TK12P60W Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+145.16 грн
10+ 116.42 грн
100+ 92.64 грн
500+ 73.56 грн
1000+ 62.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK12P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK12P60W,RVQ за ціною від 61.62 грн до 159.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK12P60W,RVQ TK12P60W,RVQ Виробник : Toshiba TK12P60W_datasheet_en_20140917-1140055.pdf MOSFET DTMOSIV 600V 340mOhm 115A 100W 890pF 25nC
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+159.67 грн
10+ 130.52 грн
100+ 90.13 грн
250+ 83.45 грн
500+ 75.44 грн
1000+ 64.56 грн
2000+ 61.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK12P60W,RVQ TK12P60W,RVQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK12P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13511&prodName=TK12P60W Description: MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
товар відсутній