Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK12P60W,RVQ
TK12P60W,RVQ

TK12P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK12P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13511&prodName=TK12P60W Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.54 грн
10+126.72 грн
100+91.37 грн
500+82.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK12P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK12P60W,RVQ за ціною від 78.07 грн до 184.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK12P60W,RVQ TK12P60W,RVQ Виробник : Toshiba 7A93ABDE0C7FC7329D55801D59191366FC977196AB370D06204E4C7B39AB6BB5.pdf MOSFETs DTMOSIV 600V 340mOhm 115A 100W 890pF 25nC
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.82 грн
10+134.24 грн
100+93.23 грн
500+91.72 грн
1000+88.68 грн
2000+78.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQ TK12P60W,RVQ Виробник : Toshiba 338docget.jsptypedatasheetlangenpidtk12p60w.jsptypedatasheetlangenpi.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQ TK12P60W,RVQ Виробник : Toshiba 338docget.jsptypedatasheetlangenpidtk12p60w.jsptypedatasheetlangenpi.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQ TK12P60W,RVQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK12P60W_datasheet_en_20140917.pdf?did=13511&prodName=TK12P60W Description: MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.