Продукція > TOSHIBA > TK12P60W,RVQ(S
TK12P60W,RVQ(S

TK12P60W,RVQ(S TOSHIBA

docget.jsp?did=13511&prodName=TK12P60W Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK12P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+91.61 грн
500+69.97 грн
1000+61.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK12P60W,RVQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK12P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK12P60W,RVQ(S за ціною від 61.19 грн до 165.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK12P60W,RVQ(S TK12P60W,RVQ(S Виробник : Toshiba 338docget.jsptypedatasheetlangenpidtk12p60w.jsptypedatasheetlangenpi.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 5230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
95+129.13 грн
105+116.93 грн
110+111.84 грн
200+100.99 грн
500+92.60 грн
1000+76.34 грн
2000+68.07 грн
4000+66.32 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQ(S TK12P60W,RVQ(S Виробник : TOSHIBA docget.jsp?did=13511&prodName=TK12P60W Description: TOSHIBA - TK12P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+165.06 грн
10+119.67 грн
100+91.61 грн
500+69.97 грн
1000+61.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W.RVQ(S Виробник : TOSHIBA TK12P60W SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQ(S TK12P60W,RVQ(S Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13511&prodName=TK12P60W Description: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.