Технічний опис TK12Q60W,S1VQ(S Toshiba
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.5A; Idm: 46A; 100W; IPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 11.5A, Pulsed drain current: 46A, Power dissipation: 100W, Case: IPAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.34Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції TK12Q60W,S1VQ(S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK12Q60W,S1VQ(S | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| TK12Q60W,S1VQ(S |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)