на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 237.75 грн |
| 10+ | 210.66 грн |
| 100+ | 150.08 грн |
| 500+ | 128.01 грн |
| 1000+ | 114.03 грн |
| 2500+ | 96.37 грн |
| 10000+ | 94.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK13A60D(STA4,Q,M) Toshiba
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK13A60D(STA4,Q,M)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
TK13A60D Код товару: 164153
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||
| TK13A60D | Виробник : Toshiba | Array |
товару немає в наявності |
||
 |
TK13A60D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
товару немає в наявності |
|
 |
TK13A60D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
товару немає в наявності |
|
 |
TK13A60D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |