Інші пропозиції TK13A60D за ціною від 89.30 грн до 223.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK13A60D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
 MOSFET N-Ch RDS 0.33 Ohm Yfs 6.5s 10uA 600V |
на замовлення 426 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| TK13A60D | Виробник : Toshiba |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
TK13A60D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
TK13A60D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |