
TK13P25D,RQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK13P25D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 45.26 грн |
500+ | 35.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK13P25D,RQ(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK13P25D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції TK13P25D,RQ(S за ціною від 35.22 грн до 77.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK13P25D,RQ(S | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 13A; 96W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC On-state resistance: 0.25Ω Drain current: 13A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 96W Drain-source voltage: 250V |
на замовлення 2668 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TK13P25D,RQ(S | Виробник : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TK13P25D,RQ(S | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 13A; 96W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC On-state resistance: 0.25Ω Drain current: 13A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 96W Drain-source voltage: 250V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2668 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TK13P25D,RQ(S | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
TK13P25D,RQ(S | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |