Продукція > TOSHIBA > TK13P25D,RQ
TK13P25D,RQ

TK13P25D,RQ Toshiba

TK13P25D_datasheet_en_20140106-1649876.pdf Виробник: Toshiba
MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK-OS PD=96W F=1MHZ
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.44 грн
10+56.01 грн
100+37.89 грн
500+32.15 грн
1000+27.96 грн
2000+23.76 грн
10000+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK13P25D,RQ Toshiba

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V.

Інші пропозиції TK13P25D,RQ за ціною від 25.38 грн до 63.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK13P25D,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.66 грн
10+50.35 грн
100+39.18 грн
500+31.16 грн
1000+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK13P25D,RQ TK13P25D,RQ Виробник : Toshiba 1536docget.jsplangenpidtk13p25dtypedatasheet.jsplangenpidtk13p25dtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.