Продукція > TOSHIBA > TK14A65W,S5X(M
TK14A65W,S5X(M

TK14A65W,S5X(M TOSHIBA

TK14A65W.pdf
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.7A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.7A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Power dissipation: 40W
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+173.78 грн
10+154.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK14A65W,S5X(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK14A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK14A65W,S5X(M

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK14A65W,S5X(M TK14A65W,S5X(M TOSHIBA 3934636.pdf Description: TOSHIBA - TK14A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65W,S5X(M TK14A65W,S5X(M Toshiba 1064docget.jsplangenpidtk14a65wtypedatasheet.jsplangenpidtk14a65wtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65W,S5X(M 3934636.pdf
TK14A65W,S5X(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK14A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14A65W,S5X(M 1064docget.jsplangenpidtk14a65wtypedatasheet.jsplangenpidtk14a65wtype.pdf
TK14A65W,S5X(M
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.