
TK14A65W,S5X(M TOSHIBA

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.7A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 211.52 грн |
3+ | 176.31 грн |
7+ | 135.32 грн |
19+ | 127.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK14A65W,S5X(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK14A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK14A65W,S5X(M за ціною від 144.07 грн до 279.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK14A65W,S5X(M | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.7A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13.7A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
TK14A65W,S5X(M | Виробник : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
TK14A65W,S5X(M | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |