на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 208.06 грн |
| 10+ | 177.74 грн |
| 50+ | 140.69 грн |
| 100+ | 134.08 грн |
| 250+ | 118.23 грн |
| 500+ | 107.66 грн |
| 1000+ | 89.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK14E65W5,S1X Toshiba
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK14E65W5,S1X за ціною від 186.39 грн до 215.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK14E65W5,S1X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|