Продукція > TOSHIBA > TK14G65W,RQ(S
TK14G65W,RQ(S

TK14G65W,RQ(S TOSHIBA

3934640.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK14G65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+138.93 грн
500+114.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK14G65W,RQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK14G65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK14G65W,RQ(S за ціною від 114.76 грн до 214.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK14G65W,RQ(S TK14G65W,RQ(S Виробник : Toshiba 1247docget.jsplangenpidtk14g65wtypedatasheet.jsplangenpidtk14g65wtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
71+173.65 грн
Мінімальне замовлення: 71
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ(S TK14G65W,RQ(S Виробник : TOSHIBA 3934640.pdf Description: TOSHIBA - TK14G65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+214.79 грн
10+154.28 грн
100+138.93 грн
500+114.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ(S Виробник : TOSHIBA Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 13.7A; 130W; D2PAK,TO263; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.7A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+155.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ(S TK14G65W,RQ(S Виробник : Toshiba 1247docget.jsplangenpidtk14g65wtypedatasheet.jsplangenpidtk14g65wtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.