| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 347.34 грн |
| 10+ | 192.44 грн |
| 120+ | 138.05 грн |
| 510+ | 130.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK14N65W,S1F Toshiba
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK14N65W,S1F за ціною від 365.53 грн до 365.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK14N65W,S1F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|