TK14V65W,LQ(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK14V65W,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 132.47 грн |
| 500+ | 110.31 грн |
| 1000+ | 91.57 грн |
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Технічний опис TK14V65W,LQ(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK14V65W,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK14V65W,LQ(S за ціною від 91.57 грн до 240.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
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TK14V65W,LQ(S | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK14V65W,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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