Продукція > TOSHIBA > TK155A65Z,S4X(S
TK155A65Z,S4X(S

TK155A65Z,S4X(S Toshiba

tk155a65z_datasheet_en_20190930.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+331.42 грн
10+298.17 грн
25+270.75 грн
50+247.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK155A65Z,S4X(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK155A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.13 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK155A65Z,S4X(S за ціною від 181.82 грн до 331.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK155A65Z,S4X(S TK155A65Z,S4X(S Toshiba tk155a65z_datasheet_en_20190930.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+331.42 грн
48+298.17 грн
53+270.75 грн
56+247.56 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155A65Z,S4X(S TK155A65Z,S4X(S TOSHIBA TOSC-S-A0009554557-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK155A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.13 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK155A65Z,S4X(S TK155A65Z,S4X(S Toshiba tk155a65z_datasheet_en_20190930.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155A65Z,S4X(S TOSHIBA Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 18A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 40W
On-state resistance: 0.13Ω
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
200+181.82 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155A65Z,S4X(S tk155a65z_datasheet_en_20190930.pdf
TK155A65Z,S4X(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
43+331.42 грн
48+298.17 грн
53+270.75 грн
56+247.56 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155A65Z,S4X(S TOSC-S-A0009554557-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TK155A65Z,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK155A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.13 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK155A65Z,S4X(S tk155a65z_datasheet_en_20190930.pdf
TK155A65Z,S4X(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155A65Z,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 18A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 40W
On-state resistance: 0.13Ω
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+181.82 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.