| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 332.26 грн |
| 48+ | 299.01 грн |
| 52+ | 271.55 грн |
| 55+ | 248.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK155A65Z,S4X(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK155A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.13 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK155A65Z,S4X(S за ціною від 184.15 грн до 457.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TK155A65Z,S4X(S | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
TK155A65Z,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK155A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.13 ohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
TK155A65Z,S4X(S | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK155A65Z,S4X(S | TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 18A; 40W Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A Power dissipation: 40W On-state resistance: 0.13Ω Gate charge: 29nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| TK155A65Z,S4X(S |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 379.86 грн |
| TK155A65Z,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK155A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.13 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK155A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.13 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 457.82 грн |
| 10+ | 275.68 грн |
| 100+ | 210.04 грн |
| TK155A65Z,S4X(S |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TK155A65Z,S4X(S |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 18A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 40W
On-state resistance: 0.13Ω
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 18A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 40W
On-state resistance: 0.13Ω
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 184.15 грн |



