TK15E60U Toshiba

Description: TOSHIBA - TK15E60U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 15, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 170, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, Verlustleistung: 170, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3, SVHC: No SVHC (15-Jun-2015).