
TK15J50D(F) TOSHIBA

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 210W; TO3PN
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 210W
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
Case: TO3PN
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 152.20 грн |
8+ | 128.70 грн |
20+ | 121.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK15J50D(F) TOSHIBA
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 210W; TO3PN, Polarisation: unipolar, Gate charge: 38nC, On-state resistance: 0.4Ω, Power dissipation: 210W, Drain current: 15A, Gate-source voltage: ±30V, Drain-source voltage: 500V, Kind of package: tube, Case: TO3PN, Kind of channel: enhancement, Mounting: THT, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TK15J50D(F) за ціною від 145.91 грн до 182.64 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK15J50D(F) | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 210W; TO3PN Polarisation: unipolar Gate charge: 38nC On-state resistance: 0.4Ω Power dissipation: 210W Drain current: 15A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 500V Kind of package: tube Case: TO3PN Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 840 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
TK15J50D(F) | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
TK15J50D(F) | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
TK15J50D(F) | Виробник : Toshiba | MOSFETs TO3P 500V 15A N-CH |
товару немає в наявності |