Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK15J50D(F) Toshiba
Description: TOSHIBA - TK15J50D(F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.33 ohm, SC-65, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500, Dauer-Drainstrom Id: 15, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, Verlustleistung Pd: 210, Bauform - Transistor: SC-65, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 4, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції TK15J50D(F)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK15J50D(F) | Toshiba | MOSFETs TO3P 500V 15A N-CH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
TK15J50D(F) | TOSHIBA |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 210W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 15A Power dissipation: 210W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
TK15J50D(F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK15J50D(F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.33 ohm, SC-65, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 15 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 210 Bauform - Transistor: SC-65 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| TK15J50D(F) |
Виробник: Toshiba
MOSFETs TO3P 500V 15A N-CH
MOSFETs TO3P 500V 15A N-CH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TK15J50D(F) |
|
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 210W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 210W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 210W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 210W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TK15J50D(F) |
|
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK15J50D(F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.33 ohm, SC-65, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 210
Bauform - Transistor: SC-65
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: TOSHIBA - TK15J50D(F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.33 ohm, SC-65, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 210
Bauform - Transistor: SC-65
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.33
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.