TK160F10N1L,LQ(O Toshiba
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 74+ | 193.70 грн |
| 77+ | 186.32 грн |
| 100+ | 179.99 грн |
| 250+ | 168.30 грн |
| 500+ | 151.60 грн |
| 1000+ | 141.97 грн |
| 2500+ | 138.84 грн |
| 5000+ | 136.07 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
74 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK160F10N1L,LQ(O Toshiba
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 375W; TO220SM, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 160A, Power dissipation: 375W, Case: TO220SM, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 121nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції TK160F10N1L,LQ(O за ціною від 201.92 грн до 272.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK160F10N1L,LQ(O | TOSHIBA |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 375W; TO220SM Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 160A Power dissipation: 375W Case: TO220SM Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 121nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 31 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
TK160F10N1L,LQ(O | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 160A 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 37 шт В кошику од. на суму грн. |
| TK160F10N1L,LQ(O |
|
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 375W; TO220SM
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 375W
Case: TO220SM
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 375W; TO220SM
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 375W
Case: TO220SM
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 272.94 грн |
| 5+ | 228.52 грн |
| 25+ | 201.92 грн |
| TK160F10N1L,LQ(O |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 160A 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH Si 100V 160A 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)