Продукція > TOSHIBA > TK16A60W,S4VX(M
TK16A60W,S4VX(M

TK16A60W,S4VX(M Toshiba

1409docget.jsplangenpidtk16a60wtypedatasheet.jsplangenpidtk16a60wtype.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
87+163.32 грн
90+157.10 грн
100+151.77 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK16A60W,S4VX(M Toshiba

Description: TOSHIBA - TK16A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, Verlustleistung: 40W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm.

Інші пропозиції TK16A60W,S4VX(M за ціною від 118.60 грн до 261.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK16A60W,S4VX(M TK16A60W,S4VX(M Toshiba 1409docget.jsplangenpidtk16a60wtypedatasheet.jsplangenpidtk16a60wtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+227.59 грн
79+177.95 грн
100+157.35 грн
800+132.76 грн
1600+120.42 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VX(M TK16A60W,S4VX(M TOSHIBA TK16A60W.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+261.64 грн
3+196.84 грн
5+164.72 грн
10+118.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VX(M TK16A60W,S4VX(M TOSHIBA 3934646.pdf Description: TOSHIBA - TK16A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VX(M 1409docget.jsplangenpidtk16a60wtypedatasheet.jsplangenpidtk16a60wtype.pdf
TK16A60W,S4VX(M
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
62+227.59 грн
79+177.95 грн
100+157.35 грн
800+132.76 грн
1600+120.42 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VX(M TK16A60W.pdf
TK16A60W,S4VX(M
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+261.64 грн
3+196.84 грн
5+164.72 грн
10+118.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VX(M 3934646.pdf
TK16A60W,S4VX(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK16A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 40W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.