Продукція > TOSHIBA > TK16A60W,S4VX(M
TK16A60W,S4VX(M

TK16A60W,S4VX(M Toshiba


1409docget.jsplangenpidtk16a60wtypedatasheet.jsplangenpidtk16a60wtype.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
87+147.31 грн
90+141.69 грн
100+136.88 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK16A60W,S4VX(M Toshiba

Description: TOSHIBA - TK16A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK16A60W,S4VX(M за ціною від 108.61 грн до 305.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK16A60W,S4VX(M TK16A60W,S4VX(M Виробник : Toshiba 1409docget.jsplangenpidtk16a60wtypedatasheet.jsplangenpidtk16a60wtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+205.28 грн
79+160.50 грн
100+141.92 грн
800+119.74 грн
1600+108.61 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VX(M TK16A60W,S4VX(M Виробник : TOSHIBA 3934646.pdf Description: TOSHIBA - TK16A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+305.29 грн
10+156.24 грн
100+148.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VX(M TK16A60W,S4VX(M Виробник : Toshiba 1409docget.jsplangenpidtk16a60wtypedatasheet.jsplangenpidtk16a60wtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.