Продукція > TOSHIBA > TK16A60W,S4VX(M
TK16A60W,S4VX(M

TK16A60W,S4VX(M Toshiba

1409docget.jsplangenpidtk16a60wtypedatasheet.jsplangenpidtk16a60wtype.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
87+141.84 грн
90+136.43 грн
100+131.80 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK16A60W,S4VX(M Toshiba

Description: TOSHIBA - TK16A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK16A60W,S4VX(M за ціною від 104.58 грн до 263.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK16A60W,S4VX(M TK16A60W,S4VX(M Виробник : TOSHIBA TK16A60W.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.87 грн
8+121.08 грн
21+114.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VX(M TK16A60W,S4VX(M Виробник : Toshiba 1409docget.jsplangenpidtk16a60wtypedatasheet.jsplangenpidtk16a60wtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+197.66 грн
79+154.55 грн
100+136.65 грн
800+115.30 грн
1600+104.58 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VX(M TK16A60W,S4VX(M Виробник : TOSHIBA TK16A60W.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.8A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.78 грн
3+196.72 грн
8+145.30 грн
21+137.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VX(M TK16A60W,S4VX(M Виробник : TOSHIBA 3934646.pdf Description: TOSHIBA - TK16A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+263.27 грн
10+157.63 грн
100+131.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W,S4VX(M TK16A60W,S4VX(M Виробник : Toshiba 1409docget.jsplangenpidtk16a60wtypedatasheet.jsplangenpidtk16a60wtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.