Продукція > TOSHIBA > TK16A60W5,S4VX
TK16A60W5,S4VX

TK16A60W5,S4VX Toshiba

TK16A60W5_datasheet_en_20131225-1140100.pdf Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.22 грн
10+262.27 грн
50+117.71 грн
100+108.15 грн
250+107.41 грн
500+91.96 грн
1000+87.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK16A60W5,S4VX Toshiba

Description: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK16A60W5,S4VX

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK16A60W5,S4VX
Код товару: 175497
Додати до обраних Обраний товар

docget.jsp?did=13747&prodName=TK16A60W5 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W5,S4VX TK16A60W5,S4VX Виробник : Toshiba 113tk16a60w5_datasheet_en_20131225.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W5,S4VX TK16A60W5,S4VX Виробник : Toshiba 113tk16a60w5_datasheet_en_20131225.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK16A60W5,S4VX TK16A60W5,S4VX Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13747&prodName=TK16A60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.