Інші пропозиції TK16A60W5,S4VX за ціною від 81.69 грн до 246.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TK16A60W5,S4VX | Виробник : Toshiba |
MOSFETs N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC |
на замовлення 207 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TK16A60W5,S4VX | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
TK16A60W5,S4VX | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
TK16A60W5,S4VX | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220SISPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V |
товару немає в наявності |



