Продукція > TOSHIBA > TK16E60W,S1VX(S
TK16E60W,S1VX(S

TK16E60W,S1VX(S Toshiba

docget.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+263.51 грн
10+234.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK16E60W,S1VX(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK16E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, Verlustleistung: 130W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm.

Інші пропозиції TK16E60W,S1VX(S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK16E60W,S1VX(S TK16E60W,S1VX(S TOSHIBA TOSCS48777-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK16E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 130W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W,S1VX(S TK16E60W,S1VX(S Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W,S1VX(S TOSCS48777-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TK16E60W,S1VX(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK16E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 130W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W,S1VX(S docget.pdf
TK16E60W,S1VX(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.