| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 243.68 грн |
| 10+ | 237.77 грн |
| 25+ | 206.05 грн |
| 50+ | 109.00 грн |
| 100+ | 99.86 грн |
| 250+ | 99.16 грн |
| 500+ | 85.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK16E60W,S1VX Toshiba
Description: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції TK16E60W,S1VX за ціною від 158.92 грн до 252.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK16E60W,S1VX | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|