на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 403.40 грн |
| 10+ | 358.72 грн |
| 25+ | 309.72 грн |
| 100+ | 232.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK16J60W5,S1VQ Toshiba
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA, Supplier Device Package: TO-3P(N), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK16J60W5,S1VQ за ціною від 358.11 грн до 413.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
.jpg "TK16J60W5,S1VQ") |
TK16J60W5,S1VQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTORPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA Supplier Device Package: TO-3P(N) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|