| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 385.62 грн |
| 10+ | 342.91 грн |
| 25+ | 296.07 грн |
| 100+ | 222.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK16J60W5,S1VQ Toshiba
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-3P(N), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V.
Інші пропозиції TK16J60W5,S1VQ за ціною від 356.02 грн до 411.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
.jpg "TK16J60W5,S1VQ") |
TK16J60W5,S1VQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTORVgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3P(N) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|