Продукція > TOSHIBA > TK16V60W5,LVQ(S
TK16V60W5,LVQ(S

TK16V60W5,LVQ(S TOSHIBA


TOSC-S-A0000741712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK16V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.196 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.196ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+195.59 грн
500+159.40 грн
1000+126.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK16V60W5,LVQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK16V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.196 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 139W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.196ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

Інші пропозиції TK16V60W5,LVQ(S за ціною від 126.62 грн до 313.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK16V60W5,LVQ(S TK16V60W5,LVQ(S Виробник : TOSHIBA TOSC-S-A0000741712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK16V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15.8 A, 0.196 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.196ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+313.61 грн
10+251.71 грн
100+195.59 грн
500+159.40 грн
1000+126.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W5,LVQ(S TK16V60W5,LVQ(S Виробник : Toshiba 3329docget.jspdid15636prodnametk16v60w5.jspdid15636prodnametk16v60w5..pdf MOSFETs Silicon N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.