Продукція > TOSHIBA > TK16V60W5,LVQ
TK16V60W5,LVQ

TK16V60W5,LVQ Toshiba

4233323239443143414437374341323646363436453338323037463033364545.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+363.44 грн
10+238.04 грн
100+148.15 грн
500+141.91 грн
1000+132.92 грн
2500+120.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK16V60W5,LVQ Toshiba

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 7.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 139W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA, Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK16V60W5,LVQ за ціною від 110.59 грн до 236.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK16V60W5,LVQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK16V60W5_datasheet_en_20150115.pdf?did=15636&prodName=TK16V60W5 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+115.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W5,LVQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK16V60W5_datasheet_en_20150115.pdf?did=15636&prodName=TK16V60W5 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.76 грн
10+191.39 грн
100+154.83 грн
500+129.16 грн
1000+110.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK16V60W5,LVQ TK16V60W5,LVQ Виробник : Toshiba 3329docget.jspdid15636prodnametk16v60w5.jspdid15636prodnametk16v60w5..pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.