TK170V65Z,LQ(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK170V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.142 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm
SVHC: To Be Advised
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 200.92 грн |
| 500+ | 182.04 грн |
| 1000+ | 152.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK170V65Z,LQ(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK170V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.142 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK170V65Z,LQ(S за ціною від 101.63 грн до 365.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TK170V65Z,LQ(S | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK170V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.142 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| TK170V65Z,LQ(S | Виробник : Toshiba |
MOSFETs Silicon N-channel MOS |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| TK170V65Z,LQ(S | Виробник : Toshiba |
MOSFETs Silicon N-channel MOS |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|