Продукція > TOSHIBA > TK170V65Z,LQ(S
TK170V65Z,LQ(S

TK170V65Z,LQ(S Toshiba

tk170v65z_datasheet_en_20190930.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 4-Pin DFN EP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
38+378.01 грн
50+347.59 грн
100+310.71 грн
250+250.71 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK170V65Z,LQ(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK170V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.142 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 150W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm.

Інші пропозиції TK170V65Z,LQ(S за ціною від 184.33 грн до 387.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK170V65Z,LQ(S TK170V65Z,LQ(S Toshiba tk170v65z_datasheet_en_20190930.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 18A 4-Pin DFN EP
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+387.41 грн
10+353.85 грн
25+331.08 грн
50+295.67 грн
100+247.29 грн
250+202.17 грн
500+193.54 грн
1000+184.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQ(S TK170V65Z,LQ(S Toshiba tk170v65z_datasheet_en_20190930.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 18A 4-Pin DFN EP
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+387.41 грн
40+353.85 грн
43+331.08 грн
50+295.67 грн
100+247.29 грн
250+202.17 грн
500+193.54 грн
1000+184.33 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQ(S TK170V65Z,LQ(S TOSHIBA TOSC-S-A0009581717-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK170V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.142 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQ(S TK170V65Z,LQ(S TOSHIBA TOSC-S-A0009581717-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK170V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.142 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQ(S tk170v65z_datasheet_en_20190930.pdf
TK170V65Z,LQ(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 4-Pin DFN EP
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+387.41 грн
10+353.85 грн
25+331.08 грн
50+295.67 грн
100+247.29 грн
250+202.17 грн
500+193.54 грн
1000+184.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQ(S tk170v65z_datasheet_en_20190930.pdf
TK170V65Z,LQ(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 4-Pin DFN EP
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+387.41 грн
40+353.85 грн
43+331.08 грн
50+295.67 грн
100+247.29 грн
250+202.17 грн
500+193.54 грн
1000+184.33 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQ(S TOSC-S-A0009581717-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TK170V65Z,LQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK170V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.142 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQ(S TOSC-S-A0009581717-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TK170V65Z,LQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK170V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.142 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.