Продукція > TOSHIBA > TK170V65Z,LQ(S
TK170V65Z,LQ(S

TK170V65Z,LQ(S TOSHIBA

TOSC-S-A0009581717-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK170V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.142 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+118.56 грн
500+106.16 грн
1000+93.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK170V65Z,LQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK170V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.142 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK170V65Z,LQ(S за ціною від 93.64 грн до 228.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK170V65Z,LQ(S TK170V65Z,LQ(S Виробник : TOSHIBA TOSC-S-A0009581717-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK170V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.142 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+193.93 грн
10+163.44 грн
100+118.56 грн
500+106.16 грн
1000+93.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQ(S Виробник : Toshiba tk170v65z_datasheet_en_20190930.pdf MOSFETs Silicon N-channel MOS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
69+179.83 грн
72+172.98 грн
100+167.11 грн
250+156.25 грн
500+140.74 грн
1000+131.81 грн
2500+128.90 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
TK170V65Z,LQ(S Виробник : Toshiba tk170v65z_datasheet_en_20190930.pdf MOSFETs Silicon N-channel MOS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+228.57 грн
77+160.91 грн
100+135.33 грн
500+123.33 грн
1000+103.14 грн
2000+97.46 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.