Продукція > TOSHIBA > TK17E80W,S1X(S
TK17E80W,S1X(S

TK17E80W,S1X(S Toshiba

19docget.jspdid35700prodnametk17e80w.jspdid35700prodnametk17e80w.pd.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+318.70 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK17E80W,S1X(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK17E80W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 180W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm.

Інші пропозиції TK17E80W,S1X(S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK17E80W,S1X(S TK17E80W,S1X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK17E80W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E80W,S1X(S
TK17E80W,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK17E80W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.