| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 393.82 грн |
| 10+ | 381.73 грн |
| 25+ | 331.23 грн |
| 50+ | 182.85 грн |
| 100+ | 168.78 грн |
| 500+ | 143.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK17E80W,S1X Toshiba
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції TK17E80W,S1X за ціною від 233.19 грн до 455.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK17E80W,S1X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|