Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK17V65W,LQ
TK17V65W,LQ

TK17V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=30288&prodName=TK17V65W
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 8.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+367.16 грн
10+235.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK17V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 8.7A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції TK17V65W,LQ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK17V65W,LQ TK17V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30288&prodName=TK17V65W Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 8.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17V65W,LQ TK17V65W,LQ Toshiba 2249D92E933176AC71D14EBC36187CCBED9AC6F08E5CC5047D5973B001FC74E7.pdf MOSFETs DFN8x8-OS PD=156W 1MHz PWR MOSFET TRNS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17V65W,LQ TK17V65W,LQ Toshiba 76164686391726527616466359121418tk17v65w_datasheet_en_20151223.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17V65W,LQ docget.jsp?did=30288&prodName=TK17V65W
TK17V65W,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 8.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17V65W,LQ 2249D92E933176AC71D14EBC36187CCBED9AC6F08E5CC5047D5973B001FC74E7.pdf
TK17V65W,LQ
Виробник: Toshiba
MOSFETs DFN8x8-OS PD=156W 1MHz PWR MOSFET TRNS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17V65W,LQ 76164686391726527616466359121418tk17v65w_datasheet_en_20151223.pdf.pdf
TK17V65W,LQ
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17.3A 5-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.