Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK17V65W,LQ
TK17V65W,LQ

TK17V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK17V65W_datasheet_en_20151223.pdf?did=30288&prodName=TK17V65W Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 1381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+253.31 грн
10+ 218.96 грн
100+ 179.39 грн
500+ 143.31 грн
1000+ 120.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK17V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 8.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA, Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK17V65W,LQ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK17V65W,LQ TK17V65W,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK17V65W_datasheet_en_20151223.pdf?did=30288&prodName=TK17V65W Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
товар відсутній
TK17V65W,LQ TK17V65W,LQ Виробник : Toshiba TK17V65W_datasheet_en_20151223-1916085.pdf MOSFET DFN8x8-OS PD=156W 1MHz PWR MOSFET TRNS
товар відсутній