на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 167.37 грн |
| 10+ | 153.13 грн |
| 50+ | 77.25 грн |
| 250+ | 67.39 грн |
| 500+ | 57.02 грн |
| 1000+ | 52.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK18A30D,S5X Toshiba
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V.
Інші пропозиції TK18A30D,S5X за ціною від 109.28 грн до 176.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TK18A30D,S5X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
 |
TK18A30D,S5X | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 300V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube |
товару немає в наявності |