TK18A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK18A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK18A50D(STA4,Q,M) за ціною від 52.87 грн до 338.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK18A50D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
MOSFETs N-Ch MOS 18A 500V 50W 2600pF 0.27 |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| TK18A50D(STA4,Q,M) | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 500V; 18A; 50W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 500V Drain current: 18A Power dissipation: 50W Case: TO220-3 Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 45nC Technology: MOSFET |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|