на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 304.69 грн |
| 10+ | 224.20 грн |
| 100+ | 158.17 грн |
| 500+ | 140.52 грн |
| 1000+ | 119.92 грн |
| 2500+ | 113.30 грн |
| 5000+ | 112.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK190E65Z,S1X Toshiba
Description: 650V DTMOS VI TO-220 190MOHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK190E65Z,S1X за ціною від 147.13 грн до 327.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK190E65Z,S1X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: 650V DTMOS VI TO-220 190MOHMPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V |
на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|