на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 137+ | 90.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK190U65Z,RQ Toshiba
Description: DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA, Supplier Device Package: TOLL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK190U65Z,RQ за ціною від 97.05 грн до 295.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TK190U65Z,RQ | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 650V 15A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R |
на замовлення 1469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TK190U65Z,RQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA Supplier Device Package: TOLL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V |
на замовлення 1008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TK190U65Z,RQ | Виробник : Toshiba |
MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
TK190U65Z,RQ | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 15A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
TK190U65Z,RQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA Supplier Device Package: TOLL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V |
товару немає в наявності |