TK190U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 311.72 грн |
| 10+ | 198.24 грн |
| 100+ | 140.56 грн |
| 500+ | 122.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK190U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA, Supplier Device Package: TOLL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK190U65Z,RQ за ціною від 113.22 грн до 324.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK190U65Z,RQ | Виробник : Toshiba |
MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|