Продукція > TOSHIBA > TK190U65Z,RQ
TK190U65Z,RQ

TK190U65Z,RQ Toshiba

tk190u65z_datasheet_en_20210914.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 15A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+140.32 грн
10+133.03 грн
100+118.88 грн
500+105.46 грн
1000+87.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK190U65Z,RQ Toshiba

Description: DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA, Supplier Device Package: TOLL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK190U65Z,RQ за ціною від 94.36 грн до 348.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK190U65Z,RQ TK190U65Z,RQ Виробник : Toshiba tk190u65z_datasheet_en_20210914.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 15A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+151.12 грн
86+143.26 грн
100+128.02 грн
500+113.57 грн
1000+94.36 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U65Z,RQ TK190U65Z,RQ Виробник : Toshiba TK190U65Z_datasheet_en_20210914-2005153.pdf MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+316.93 грн
10+204.80 грн
100+124.51 грн
500+121.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U65Z,RQ TK190U65Z,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69977&prodName=TK190U65Z Description: DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+348.55 грн
10+221.82 грн
100+157.26 грн
500+121.72 грн
1000+115.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U65Z,RQ TK190U65Z,RQ Виробник : Toshiba tk190u65z_datasheet_en_20210914.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 15A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK190U65Z,RQ TK190U65Z,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69977&prodName=TK190U65Z Description: DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.