TK19A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 450V 19A TO220SIS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 9.5A, 10V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 271.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK19A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 450V 19A TO220SIS, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220SIS, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 9.5A, 10V.
Інші пропозиції TK19A45D(STA4,Q,M) за ціною від 103.38 грн до 279.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK19A45D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
MOSFETs N-Ch MOS 19A 450V 50W 2600pF 0.25 |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|