Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK19A45D(STA4,Q,M)
TK19A45D(STA4,Q,M)

TK19A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage

TK19A45D_datasheet_en_20131101.pdf?did=3454&prodName=TK19A45D Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 450V 19A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+234.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK19A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 450V 19A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TK19A45D(STA4,Q,M)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TK19A45D(STA4,Q,M) TK19A45D(STA4,Q,M) Виробник : Toshiba TK19A45D_datasheet_en_20131101-1150931.pdf MOSFET N-Ch MOS 19A 450V 50W 2600pF 0.25
товар відсутній