на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 197.53 грн |
10+ | 161.73 грн |
100+ | 111.96 грн |
250+ | 100.36 грн |
500+ | 93.53 грн |
1000+ | 85.34 грн |
2500+ | 81.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK19A50W,S5X Toshiba
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK19A50W,S5X
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
TK19A50W,S5X | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 500V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube |
товар відсутній |
||
TK19A50W,S5X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V |
товар відсутній |