TK200E65Z5,S1X Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 650 V 0.200 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 425.14 грн |
| 50+ | 218.02 грн |
| 100+ | 199.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK200E65Z5,S1X Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 650 V 0.200 OHM TO-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 610µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK200E65Z5,S1X
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK200E65Z5,S1X | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 15A |
товару немає в наявності |
|
 |
TK200E65Z5,S1X | Виробник : Toshiba |
MOSFETs 650 V 0.200 Ohm N-ch MOSFET TO-220 DTMOS |
товару немає в наявності |