Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK200F04N1L,LXGQ
TK200F04N1L,LXGQ

TK200F04N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=15454&prodName=TK200F04N1L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14920 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+329.91 грн
10+209.66 грн
100+148.49 грн
500+120.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK200F04N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SM(W), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14920 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції TK200F04N1L,LXGQ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK200F04N1L,LXGQ TK200F04N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15454&prodName=TK200F04N1L Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14920 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200F04N1L,LXGQ TK200F04N1L,LXGQ Toshiba A4D0C1246B5242321D71C7D05ED58E705A88EC6757B2435C9511E3199C43EF9B.pdf MOSFETs 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK200F04N1L,LXGQ TK200F04N1L,LXGQ Toshiba tk200f04n1l_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200F04N1L,LXGQ docget.jsp?did=15454&prodName=TK200F04N1L
TK200F04N1L,LXGQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14920 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK200F04N1L,LXGQ A4D0C1246B5242321D71C7D05ED58E705A88EC6757B2435C9511E3199C43EF9B.pdf
TK200F04N1L,LXGQ
Виробник: Toshiba
MOSFETs 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK200F04N1L,LXGQ tk200f04n1l_datasheet_en_20200624.pdf
TK200F04N1L,LXGQ
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.