TK200V60Z1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 600 V 0.200 OHM DFN8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 111.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK200V60Z1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: N-CH MOSFET 600 V 0.200 OHM DFN8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 113W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA, Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK200V60Z1,LQ за ціною від 123.20 грн до 334.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TK200V60Z1,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: N-CH MOSFET 600 V 0.200 OHM DFN8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 480µA Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 300 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TK200V60Z1,LQ | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 14A |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
TK200V60Z1,LQ | Виробник : Toshiba |
MOSFETs 600 V 0.200 Ohm N-ch MOSFET DFN8 x 8 DTMOS |
товару немає в наявності |