Продукція > TOSHIBA > TK20E60W,S1VX(S
TK20E60W,S1VX(S

TK20E60W,S1VX(S Toshiba

2241tk20e60w_datasheet_en_20131226.pdf.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
86+163.75 грн
90+157.51 грн
100+152.16 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK20E60W,S1VX(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK20E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, Verlustleistung: 165W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm.

Інші пропозиції TK20E60W,S1VX(S за ціною від 113.33 грн до 219.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK20E60W,S1VX(S TK20E60W,S1VX(S Toshiba 2241tk20e60w_datasheet_en_20131226.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+219.16 грн
101+139.55 грн
124+113.33 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W,S1VX(S TK20E60W,S1VX(S TOSHIBA TOSCS48790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK20E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 165W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W,S1VX(S 2241tk20e60w_datasheet_en_20131226.pdf.pdf
TK20E60W,S1VX(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
65+219.16 грн
101+139.55 грн
124+113.33 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20E60W,S1VX(S TOSCS48790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TK20E60W,S1VX(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK20E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 165W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.