
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 301.39 грн |
10+ | 294.55 грн |
50+ | 140.18 грн |
100+ | 129.17 грн |
500+ | 114.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK20E60W5,S1VX Toshiba
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 165W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK20E60W5,S1VX за ціною від 328.67 грн до 328.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK20E60W5,S1VX | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 165W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
TK20E60W5,S1VX | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
TK20E60W5,S1VX | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |