| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 49+ | 293.30 грн |
| 100+ | 143.33 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
49 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK20J50D(F) Toshiba
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 280W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-3P(N), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK20J50D(F)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK20J50D(F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 280W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3P(N) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
TK20J50D(F) | Toshiba |
MOSFETs PD=280W VDS=500V N-Silicon N CH MOS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
TK20J50D(F) | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| TK20J50D(F) |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TK20J50D(F) |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs PD=280W VDS=500V N-Silicon N CH MOS
MOSFETs PD=280W VDS=500V N-Silicon N CH MOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TK20J50D(F) |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Trans MOSFET N-CH Si 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.