на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 49+ | 254.37 грн |
| 100+ | 124.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK20J50D(F) Toshiba
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 280W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-3P(N), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK20J50D(F) за ціною від 85.33 грн до 287.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TK20J50D(F) | Виробник : Toshiba |
MOSFETs PD=280W VDS=500V N-Silicon N CH MOS |
на замовлення 857 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| TK20J50D(F) |
|
на замовлення 198 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
TK20J50D(F) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
TK20J50D(F) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
TK20J50D(F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 280W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3P(N) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |


