Продукція > TOSHIBA > TK20N60W,S1VF(S
TK20N60W,S1VF(S

TK20N60W,S1VF(S TOSHIBA

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DC3811EDF6713D7&compId=TK20N60W.pdf?ci_sign=f502d49ea81b250e8f5fb3bff77b5d640590a69b Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.19 грн
3+271.19 грн
6+178.43 грн
15+168.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK20N60W,S1VF(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK20N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 165W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK20N60W,S1VF(S за ціною від 201.86 грн до 595.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK20N60W,S1VF(S TK20N60W,S1VF(S Виробник : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DC3811EDF6713D7&compId=TK20N60W.pdf?ci_sign=f502d49ea81b250e8f5fb3bff77b5d640590a69b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 165W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 338 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+498.76 грн
2+351.65 грн
3+325.42 грн
6+214.12 грн
15+201.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W,S1VF(S TK20N60W,S1VF(S Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK20N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+595.94 грн
10+579.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W,S1VF(S TK20N60W,S1VF(S Виробник : Toshiba 567tk20n60w_datasheet_en_20131226.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W,S1VF(S TK20N60W,S1VF(S Виробник : Toshiba 567tk20n60w_datasheet_en_20131226.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.