TK20N60W5,S1VF(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK20N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 345.78 грн |
| 10+ | 194.30 грн |
| 100+ | 163.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK20N60W5,S1VF(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK20N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 165W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK20N60W5,S1VF(S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK20N60W5,S1VF(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |