TK20N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 246.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK20N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 165W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK20N60W5,S1VF за ціною від 114.27 грн до 275.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK20N60W5,S1VF | Виробник : Toshiba |
MOSFET Power MOSFET N-Channel |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TK20N60W5,S1VF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |