| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 344.05 грн |
| 10+ | 313.50 грн |
| 25+ | 292.97 грн |
| 50+ | 261.77 грн |
| 100+ | 218.51 грн |
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| 1000+ | 162.93 грн |
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Технічний опис TK20V60W,LVQ(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK20V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.136 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 156W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, Verlustleistung: 156W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.136ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm.
Інші пропозиції TK20V60W,LVQ(S за ціною від 162.93 грн до 344.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
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TK20V60W,LVQ(S | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin DFN EP |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK20V60W,LVQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK20V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.136 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 156W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm |
на замовлення 1894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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TK20V60W,LVQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK20V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.136 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 156W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 156W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.136ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm |
на замовлення 1894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| TK20V60W,LVQ(S |
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Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin DFN EP
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4-Pin DFN EP
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 344.05 грн |
| 46+ | 313.50 грн |
| 49+ | 292.97 грн |
| 52+ | 261.77 грн |
| 100+ | 218.51 грн |
| 250+ | 178.83 грн |
| 500+ | 170.87 грн |
| 1000+ | 162.93 грн |
| TK20V60W,LVQ(S |
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Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK20V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.136 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 156W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm
Description: TOSHIBA - TK20V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.136 ohm, DFN, Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
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на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK20V60W,LVQ(S |
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Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK20V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.136 ohm, DFN, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 156W
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Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm
Description: TOSHIBA - TK20V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.136 ohm, DFN, Oberflächenmontage
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SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm
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